Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Емцев, В. В. - Критическая концентрация кислорода в Cz-Si и кластеризация примесных атомов при термообработке
Емцев, В. В. - Критическая концентрация кислорода в Cz-Si и кластеризация примесных атомов при термообработке
Статья
Автор: Емцев, В. В.
Физика и техника полупроводников: Критическая концентрация кислорода в Cz-Si и кластеризация примесных атомов при термообработке
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Емцев, В. В.
Физика и техника полупроводников: Критическая концентрация кислорода в Cz-Si и кластеризация примесных атомов при термообработке
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Емцев, В. В.
Критическая концентрация кислорода в Cz-Si и кластеризация примесных атомов при термообработке / В. В. Емцев, Г. А. Оганесян, К. Шмальц // Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 9 . – 1549-1555 .
Емцев, В. В.
Критическая концентрация кислорода в Cz-Si и кластеризация примесных атомов при термообработке / В. В. Емцев, Г. А. Оганесян, К. Шмальц // Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 9 . – 1549-1555 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 27, N 9
1993 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 27, N 9
1993 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный