Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Беркелиев, А. - Эффект усиления наведенного фотоплеохроизма в структурах p-n-GaP/p-Si
Беркелиев, А. - Эффект усиления наведенного фотоплеохроизма в структурах p-n-GaP/p-Si
Статья
Автор: Беркелиев, А.
Физика и техника полупроводников: Эффект усиления наведенного фотоплеохроизма в структурах p-n-GaP/p-Si
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Беркелиев, А.
Физика и техника полупроводников: Эффект усиления наведенного фотоплеохроизма в структурах p-n-GaP/p-Si
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Беркелиев, А.
Эффект усиления наведенного фотоплеохроизма в структурах p-n-GaP/p-Si / А. Беркелиев, Ю. В. Жиляев, Н. Назаров, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, Л. М. Федоров // Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 10 . – 1624-1630 .
Беркелиев, А.
Эффект усиления наведенного фотоплеохроизма в структурах p-n-GaP/p-Si / А. Беркелиев, Ю. В. Жиляев, Н. Назаров, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, Л. М. Федоров // Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 10 . – 1624-1630 .