Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Ф-50
Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 2 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Ф-50
Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 2 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Слободчиков, С. В.
Низкочастотные осцилляции фототока в InP<Fe> в магнитном поле / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Слободчиков, С. В.
Низкочастотные осцилляции фототока в InP<Fe> в магнитном поле / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Савицкий, В. Г.
Об энергетической диаграмме классических варизонных сверхрешеток / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Савицкий, В. Г.
Об энергетической диаграмме классических варизонных сверхрешеток / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Константинов, А. О.
Пассивация кристаллического карбида кремния в водородной плазме / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Константинов, А. О.
Пассивация кристаллического карбида кремния в водородной плазме / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Бочкарева, Н. И.
Поверхностная проводимость и релаксация емкости границ зерен в бикристаллах n-Ge
б.г.
ISBN отсутствует
Бочкарева, Н. И.
Поверхностная проводимость и релаксация емкости границ зерен в бикристаллах n-Ge
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Бумай, Ю. А.
Влияние гидрогенизации на фотолюминесценцию структур GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами
б.г.
ISBN отсутствует
Бумай, Ю. А.
Влияние гидрогенизации на фотолюминесценцию структур GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Равич, Ю. И.
Самокомпенсация донорной примеси нейтральными комплексами в теллуриде свинца, легированном висмутом
б.г.
ISBN отсутствует
Равич, Ю. И.
Самокомпенсация донорной примеси нейтральными комплексами в теллуриде свинца, легированном висмутом
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Добровольский, В. Н.
Ударная ионизация в неоднородно разогретых n+-p- и p+-n-переходах
б.г.
ISBN отсутствует
Добровольский, В. Н.
Ударная ионизация в неоднородно разогретых n+-p- и p+-n-переходах
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Слободчиков, С. В.
Механизм токопереноса в диодных структурах на основе n-GaP с напыленным палладием
б.г.
ISBN отсутствует
Слободчиков, С. В.
Механизм токопереноса в диодных структурах на основе n-GaP с напыленным палладием
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Оконечников, А. П.
Дефектообразование в ZnSe при облучении альфа-частицами
б.г.
ISBN отсутствует
Оконечников, А. П.
Дефектообразование в ZnSe при облучении альфа-частицами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Баграев, Н. Т.
Оптически индуцированная самокомпенсация халькогенов в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Баграев, Н. Т.
Оптически индуцированная самокомпенсация халькогенов в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Жиляев, Ю. В.
Фоточувствительность и наведенный фотоплеохроизм двухбарьерных структур Au-n-GaP/p-Si
б.г.
ISBN отсутствует
Жиляев, Ю. В.
Фоточувствительность и наведенный фотоплеохроизм двухбарьерных структур Au-n-GaP/p-Si
б.г.
ISBN отсутствует