Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Быстров, С. Д. - Исследование взаимосвязи между условиями роста и качеством гетерограницы в СЛГС InP/In1-xGaxAs, в...
Быстров, С. Д. - Исследование взаимосвязи между условиями роста и качеством гетерограницы в СЛГС InP/In1-xGaxAs, в...
Статья
Автор: Быстров, С. Д.
Физика и техника полупроводников: Исследование взаимосвязи между условиями роста и качеством гетерограницы в СЛГС InP/In1-xGaxAs, в...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Быстров, С. Д.
Физика и техника полупроводников: Исследование взаимосвязи между условиями роста и качеством гетерограницы в СЛГС InP/In1-xGaxAs, в...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Быстров, С. Д.
Исследование взаимосвязи между условиями роста и качеством гетерограницы в СЛГС InP/In1-xGaxAs, выращенных жидкофазной эпитаксией / С. Д. Быстров, Ле Туан, С. В. Новиков, И. Г. Савельев // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 2 . – 298-301 .
Быстров, С. Д.
Исследование взаимосвязи между условиями роста и качеством гетерограницы в СЛГС InP/In1-xGaxAs, выращенных жидкофазной эпитаксией / С. Д. Быстров, Ле Туан, С. В. Новиков, И. Г. Савельев // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 2 . – 298-301 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 2
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 2
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный