Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Гарбузов, Д. З. - Управление модовым составом мощных зарощенных лазеров на основе InGaAsP/GaAs с длиной волны 0ю8 мкм
Гарбузов, Д. З. - Управление модовым составом мощных зарощенных лазеров на основе InGaAsP/GaAs с длиной волны 0ю8 мкм
Статья
Автор: Гарбузов, Д. З.
Физика и техника полупроводников: Управление модовым составом мощных зарощенных лазеров на основе InGaAsP/GaAs с длиной волны 0ю8 мкм
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Гарбузов, Д. З.
Физика и техника полупроводников: Управление модовым составом мощных зарощенных лазеров на основе InGaAsP/GaAs с длиной волны 0ю8 мкм
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Гарбузов, Д. З.
Управление модовым составом мощных зарощенных лазеров на основе InGaAsP/GaAs с длиной волны 0ю8 мкм / Д. З. Гарбузов, М. Л. Бородицкий, Н. Д. Ильинская, Д. А. Лившиц, Д. Н. Марьинский, Э. У. Рафаилов // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 2 . – 315-320 .
Гарбузов, Д. З.
Управление модовым составом мощных зарощенных лазеров на основе InGaAsP/GaAs с длиной волны 0ю8 мкм / Д. З. Гарбузов, М. Л. Бородицкий, Н. Д. Ильинская, Д. А. Лившиц, Д. Н. Марьинский, Э. У. Рафаилов // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 2 . – 315-320 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 2
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 2
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный