Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Курышев, Г. Л. - Перераспределение бериллия в InSb и InAs при внедрении ионов и последующем отжиге
Курышев, Г. Л. - Перераспределение бериллия в InSb и InAs при внедрении ионов и последующем отжиге
Статья
Автор: Курышев, Г. Л.
Физика и техника полупроводников: Перераспределение бериллия в InSb и InAs при внедрении ионов и последующем отжиге
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Курышев, Г. Л.
Физика и техника полупроводников: Перераспределение бериллия в InSb и InAs при внедрении ионов и последующем отжиге
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Курышев, Г. Л.
Перераспределение бериллия в InSb и InAs при внедрении ионов и последующем отжиге / Г. Л. Курышев, А. М. Мясников, В. И. Ободников, Л. Н. Сафронов, Г. С. Хрящев // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 3 . – 439-442 .
Курышев, Г. Л.
Перераспределение бериллия в InSb и InAs при внедрении ионов и последующем отжиге / Г. Л. Курышев, А. М. Мясников, В. И. Ободников, Л. Н. Сафронов, Г. С. Хрящев // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 3 . – 439-442 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 3
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 3
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный