Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Стафеев, В. И. - Фотодиоды с барьером Шоттки на основе GaP, GapxAs1-x и GaAs для УФ и видимого диапазонов спектра
Стафеев, В. И. - Фотодиоды с барьером Шоттки на основе GaP, GapxAs1-x и GaAs для УФ и видимого диапазонов спектра
Статья
Автор: Стафеев, В. И.
Физика и техника полупроводников: Фотодиоды с барьером Шоттки на основе GaP, GapxAs1-x и GaAs для УФ и видимого диапазонов спектра
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Стафеев, В. И.
Физика и техника полупроводников: Фотодиоды с барьером Шоттки на основе GaP, GapxAs1-x и GaAs для УФ и видимого диапазонов спектра
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Стафеев, В. И.
Фотодиоды с барьером Шоттки на основе GaP, GapxAs1-x и GaAs для УФ и видимого диапазонов спектра / В. И. Стафеев, И. Д. Анисимова // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 3 . – 461-466 .
Стафеев, В. И.
Фотодиоды с барьером Шоттки на основе GaP, GapxAs1-x и GaAs для УФ и видимого диапазонов спектра / В. И. Стафеев, И. Д. Анисимова // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 3 . – 461-466 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 3
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 3
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный