Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Баранский, П. И. - Изменение анизотропии рассеяния носителей тока в n-Si, возникающие в области комнатных температур...
Баранский, П. И. - Изменение анизотропии рассеяния носителей тока в n-Si, возникающие в области комнатных температур...
Статья
Автор: Баранский, П. И.
Физика и техника полупроводников: Изменение анизотропии рассеяния носителей тока в n-Si, возникающие в области комнатных температур...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Баранский, П. И.
Физика и техника полупроводников: Изменение анизотропии рассеяния носителей тока в n-Si, возникающие в области комнатных температур...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Баранский, П. И.
Изменение анизотропии рассеяния носителей тока в n-Si, возникающие в области комнатных температур под влиянием высокого гидростатического давления / П. И. Баранский, Е. Н. Видалко // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 6 . – 1064-1067 .
Баранский, П. И.
Изменение анизотропии рассеяния носителей тока в n-Si, возникающие в области комнатных температур под влиянием высокого гидростатического давления / П. И. Баранский, Е. Н. Видалко // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 6 . – 1064-1067 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 6
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 6
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный