Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Иванов, П. А. - Полевой транзистор на основе 6H-Sic: температурная зависимость проводимости n-канала
Иванов, П. А. - Полевой транзистор на основе 6H-Sic: температурная зависимость проводимости n-канала

Статья
Автор: Иванов, П. А.
Физика и техника полупроводников: Полевой транзистор на основе 6H-Sic: температурная зависимость проводимости n-канала
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Иванов, П. А.
Физика и техника полупроводников: Полевой транзистор на основе 6H-Sic: температурная зависимость проводимости n-канала
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Иванов, П. А.
Полевой транзистор на основе 6H-Sic: температурная зависимость проводимости n-канала / П. А. Иванов // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 7 . – 1161-1171 .
Иванов, П. А.
Полевой транзистор на основе 6H-Sic: температурная зависимость проводимости n-канала / П. А. Иванов // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 7 . – 1161-1171 .