Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ильинский, А. В. - Фотоиндуцированное смещение области пространственного заряда в p-i-n-структурах на основе GaAs
Ильинский, А. В. - Фотоиндуцированное смещение области пространственного заряда в p-i-n-структурах на основе GaAs
Статья
Автор: Ильинский, А. В.
Физика и техника полупроводников: Фотоиндуцированное смещение области пространственного заряда в p-i-n-структурах на основе GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ильинский, А. В.
Физика и техника полупроводников: Фотоиндуцированное смещение области пространственного заряда в p-i-n-структурах на основе GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Ильинский, А. В.
Фотоиндуцированное смещение области пространственного заряда в p-i-n-структурах на основе GaAs / А. В. Ильинский, А. Б. Куценко, М. Б. Мельников // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 7 . – 1180-1191 .
Ильинский, А. В.
Фотоиндуцированное смещение области пространственного заряда в p-i-n-структурах на основе GaAs / А. В. Ильинский, А. Б. Куценко, М. Б. Мельников // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 7 . – 1180-1191 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 7
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 7
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный