Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Андреев, А. Н. - Динистор на основе эпитаксиальных слоев SiC-6H, выращенных методом сублимации в открытой ростовой...
Андреев, А. Н. - Динистор на основе эпитаксиальных слоев SiC-6H, выращенных методом сублимации в открытой ростовой...
Статья
Автор: Андреев, А. Н.
Физика и техника полупроводников: Динистор на основе эпитаксиальных слоев SiC-6H, выращенных методом сублимации в открытой ростовой...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Андреев, А. Н.
Физика и техника полупроводников: Динистор на основе эпитаксиальных слоев SiC-6H, выращенных методом сублимации в открытой ростовой...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Андреев, А. Н.
Динистор на основе эпитаксиальных слоев SiC-6H, выращенных методом сублимации в открытой ростовой системе / А. Н. Андреев, П. А. Иванов, А. М. Стрельчук, Н. С. Савкина, В. Е. Челноков, И. Р. Шапошников // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 7 . – 1192-1193 .
Андреев, А. Н.
Динистор на основе эпитаксиальных слоев SiC-6H, выращенных методом сублимации в открытой ростовой системе / А. Н. Андреев, П. А. Иванов, А. М. Стрельчук, Н. С. Савкина, В. Е. Челноков, И. Р. Шапошников // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 7 . – 1192-1193 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 7
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 7
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный