Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Гнатенко, В. И. - Глубокие центры, обусловленные атомами Ge, в двойных гетероструктурах на основе AlGaAs
Гнатенко, В. И. - Глубокие центры, обусловленные атомами Ge, в двойных гетероструктурах на основе AlGaAs
Статья
Автор: Гнатенко, В. И.
Физика и техника полупроводников: Глубокие центры, обусловленные атомами Ge, в двойных гетероструктурах на основе AlGaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Гнатенко, В. И.
Физика и техника полупроводников: Глубокие центры, обусловленные атомами Ge, в двойных гетероструктурах на основе AlGaAs
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Гнатенко, В. И.
Глубокие центры, обусловленные атомами Ge, в двойных гетероструктурах на основе AlGaAs / В. И. Гнатенко, Т. В. Торчинская // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 8 . – 1297-1304 .
Гнатенко, В. И.
Глубокие центры, обусловленные атомами Ge, в двойных гетероструктурах на основе AlGaAs / В. И. Гнатенко, Т. В. Торчинская // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 8 . – 1297-1304 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 8
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 8
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный