Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Егоров, А. Ю. - Влияние условий осаждения на процесс формирования квантовых кластеров (In,Ga)As в матрице GaAs
Егоров, А. Ю. - Влияние условий осаждения на процесс формирования квантовых кластеров (In,Ga)As в матрице GaAs
Статья
Автор: Егоров, А. Ю.
Физика и техника полупроводников: Влияние условий осаждения на процесс формирования квантовых кластеров (In,Ga)As в матрице GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Егоров, А. Ю.
Физика и техника полупроводников: Влияние условий осаждения на процесс формирования квантовых кластеров (In,Ga)As в матрице GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Егоров, А. Ю.
Влияние условий осаждения на процесс формирования квантовых кластеров (In,Ga)As в матрице GaAs / А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, М. В. Максимов, В. М. Устинов // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 8 . – 1439-1444 .
Егоров, А. Ю.
Влияние условий осаждения на процесс формирования квантовых кластеров (In,Ga)As в матрице GaAs / А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, М. В. Максимов, В. М. Устинов // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 8 . – 1439-1444 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 8
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 8
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный