Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/5.gif)
Доступно
1 из 1
1 из 1
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . - ISSN 0015-3222 (ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ на платформе elibrary необходимо подключиться через OpenVPN в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Ф-50
Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 11 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . - ISSN 0015-3222 (ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ на платформе elibrary необходимо подключиться через OpenVPN в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Ф-50
Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 11 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
![](http://elcat.lib.misis.ru/vmsua5379ghkip/app/webroot/img//progress.gif)
Связанные описания:
![](http://elcat.lib.misis.ru/vmsua5379ghkip/app/webroot/img//progress.gif)
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Андронов, А. Н.
Электронно-лучевая диагностика приповерхностных квантово-размерных p-n-переходов в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Андронов, А. Н.
Электронно-лучевая диагностика приповерхностных квантово-размерных p-n-переходов в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Александров, О. В.
Мелкие акцепторные центры, образующиеся при диффузии эрбия в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Александров, О. В.
Мелкие акцепторные центры, образующиеся при диффузии эрбия в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Зайцева, Т. Н.
Быстрый термический отжиг полуизолирующего GaAs, облученного реакторными нейтронами
б.г.
ISBN отсутствует
Зайцева, Т. Н.
Быстрый термический отжиг полуизолирующего GaAs, облученного реакторными нейтронами
б.г.
ISBN отсутствует
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Абросимова, В. Н.
Быстрая термическая диффузия цинка в гетероструктуру GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Абросимова, В. Н.
Быстрая термическая диффузия цинка в гетероструктуру GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Ермолаев, О. П.
Электрическая активность примесей в трансмутационно легированном германии
б.г.
ISBN отсутствует
Ермолаев, О. П.
Электрическая активность примесей в трансмутационно легированном германии
б.г.
ISBN отсутствует
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Боднарь, И. В.
Фотоэлектрические свойства поверхностного-барьерных структур In/p-CuGaS2
б.г.
ISBN отсутствует
Боднарь, И. В.
Фотоэлектрические свойства поверхностного-барьерных структур In/p-CuGaS2
б.г.
ISBN отсутствует
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Воронина, Т. И.
Электрические свойства твердых растворов GaAlSb и GaAlSbAs
б.г.
ISBN отсутствует
Воронина, Т. И.
Электрические свойства твердых растворов GaAlSb и GaAlSbAs
б.г.
ISBN отсутствует
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Соболев, Н. А.
Влияние условий отжига на интенсивность фотолюминесценции в Si:Er
б.г.
ISBN отсутствует
Соболев, Н. А.
Влияние условий отжига на интенсивность фотолюминесценции в Si:Er
б.г.
ISBN отсутствует
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Лебедев, А. А.
Перезарядка глубоких уровней накопленными при инжекции неосновными носителями тока
б.г.
ISBN отсутствует
Лебедев, А. А.
Перезарядка глубоких уровней накопленными при инжекции неосновными носителями тока
б.г.
ISBN отсутствует
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Ашмонтас, С.
Фотоотклик p-n-структур на основе InSb при освещении излучением CO2-лазера
б.г.
ISBN отсутствует
Ашмонтас, С.
Фотоотклик p-n-структур на основе InSb при освещении излучением CO2-лазера
б.г.
ISBN отсутствует
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Голикова, О. А.
Сдвиги уровня Ферми и параметры электропереноса аморфного гидрированного кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Голикова, О. А.
Сдвиги уровня Ферми и параметры электропереноса аморфного гидрированного кремния
б.г.
ISBN отсутствует
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Зайкина, Р. Ф.
Электрофизические свойства пленок сульфида свинца, подвергнутых радиационным воздействиям
б.г.
ISBN отсутствует
Зайкина, Р. Ф.
Электрофизические свойства пленок сульфида свинца, подвергнутых радиационным воздействиям
б.г.
ISBN отсутствует
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Варданян, Г. А.
Оптическое пропускание композитных пленок SiO2/Si, полученных методом лазерного напыления
б.г.
ISBN отсутствует
Варданян, Г. А.
Оптическое пропускание композитных пленок SiO2/Si, полученных методом лазерного напыления
б.г.
ISBN отсутствует
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Тодуа, П. А.
Электрофизические свойства перехода металл-[ленгмюровская пленка фторированного полимера]-сульфид...
б.г.
ISBN отсутствует
Тодуа, П. А.
Электрофизические свойства перехода металл-[ленгмюровская пленка фторированного полимера]-сульфид...
б.г.
ISBN отсутствует
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Кадушкин, В. И.
Вольт-амперные характеристики структур с дельта-легированием оловом вицинальных граней GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Кадушкин, В. И.
Вольт-амперные характеристики структур с дельта-легированием оловом вицинальных граней GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Карымшаков, Р. К.
Об оптической активности полупроводниковых кристаллов CdSnAs2 и CdGeP2
б.г.
ISBN отсутствует
Карымшаков, Р. К.
Об оптической активности полупроводниковых кристаллов CdSnAs2 и CdGeP2
б.г.
ISBN отсутствует
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)