Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Журавлев, К. С. - Электронные свойства буферных слоев GaAs, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при те...
Журавлев, К. С. - Электронные свойства буферных слоев GaAs, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при те...
Статья
Автор: Журавлев, К. С.
Физика и техника полупроводников: Электронные свойства буферных слоев GaAs, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при те...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Журавлев, К. С.
Физика и техника полупроводников: Электронные свойства буферных слоев GaAs, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при те...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Журавлев, К. С.
Электронные свойства буферных слоев GaAs, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при температурах роста от 360 до 640 градусов С / К. С. Журавлев, В. Я. Принц, Д. И. Лубышев, Б. Р. Семягин, В. П. Мигаль, А. М. Гилинский // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 11 . – 1937-1946 .
Журавлев, К. С.
Электронные свойства буферных слоев GaAs, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при температурах роста от 360 до 640 градусов С / К. С. Журавлев, В. Я. Принц, Д. И. Лубышев, Б. Р. Семягин, В. П. Мигаль, А. М. Гилинский // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 11 . – 1937-1946 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 11
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 11
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный