Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ашмонтас, С. - Фотоотклик p-n-структур на основе InSb при освещении излучением CO2-лазера
Ашмонтас, С. - Фотоотклик p-n-структур на основе InSb при освещении излучением CO2-лазера
Статья
Автор: Ашмонтас, С.
Физика и техника полупроводников: Фотоотклик p-n-структур на основе InSb при освещении излучением CO2-лазера
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ашмонтас, С.
Физика и техника полупроводников: Фотоотклик p-n-структур на основе InSb при освещении излучением CO2-лазера
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Ашмонтас, С.
Фотоотклик p-n-структур на основе InSb при освещении излучением CO2-лазера / С. Ашмонтас, И. Градаускас, К. Науджюс, Э. Ширмулис // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 11 . – 1975-1979 .
Ашмонтас, С.
Фотоотклик p-n-структур на основе InSb при освещении излучением CO2-лазера / С. Ашмонтас, И. Градаускас, К. Науджюс, Э. Ширмулис // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 11 . – 1975-1979 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 11
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 11
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный