Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Соболев, Н. А. - Влияние условий отжига на интенсивность фотолюминесценции в Si:Er
Соболев, Н. А. - Влияние условий отжига на интенсивность фотолюминесценции в Si:Er
Статья
Автор: Соболев, Н. А.
Физика и техника полупроводников: Влияние условий отжига на интенсивность фотолюминесценции в Si:Er
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Соболев, Н. А.
Физика и техника полупроводников: Влияние условий отжига на интенсивность фотолюминесценции в Si:Er
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Соболев, Н. А.
Влияние условий отжига на интенсивность фотолюминесценции в Si:Er / Н. А. Соболев, М. С. Бреслер, О. Б. Гусев, М. И. Макавийчук, Е. О. Паршин, Е. И. Шек // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 11 . – 1995-2000 .
Соболев, Н. А.
Влияние условий отжига на интенсивность фотолюминесценции в Si:Er / Н. А. Соболев, М. С. Бреслер, О. Б. Гусев, М. И. Макавийчук, Е. О. Паршин, Е. И. Шек // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 11 . – 1995-2000 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 11
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 11
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный