Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Свиркова, Н. Н. - Условия осаждения и спектр плотности состояний пленок a-Si1-xCx:H, полученных высокочастотным рас...
Свиркова, Н. Н. - Условия осаждения и спектр плотности состояний пленок a-Si1-xCx:H, полученных высокочастотным рас...
Статья
Автор: Свиркова, Н. Н.
Физика и техника полупроводников: Условия осаждения и спектр плотности состояний пленок a-Si1-xCx:H, полученных высокочастотным рас...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Свиркова, Н. Н.
Физика и техника полупроводников: Условия осаждения и спектр плотности состояний пленок a-Si1-xCx:H, полученных высокочастотным рас...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Свиркова, Н. Н.
Условия осаждения и спектр плотности состояний пленок a-Si1-xCx:H, полученных высокочастотным распылением / Н. Н. Свиркова, В. А. Феликов, В. А. Лигачев // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 12 . – 2109-2119 .
Свиркова, Н. Н.
Условия осаждения и спектр плотности состояний пленок a-Si1-xCx:H, полученных высокочастотным распылением / Н. Н. Свиркова, В. А. Феликов, В. А. Лигачев // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 12 . – 2109-2119 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 12
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 12
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный