Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: 2. Трансмутационное легирование полупроводников под действием заряженных частиц
2. Трансмутационное легирование полупроводников под действием заряженных частиц
Книга (аналит. описание)
Автор:
Модифицирование полупроводников пучками протонов: 2. Трансмутационное легирование полупроводников под действием заряженных частиц
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Модифицирование полупроводников пучками протонов: 2. Трансмутационное легирование полупроводников под действием заряженных частиц
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Книга (аналит. описание)
2. Трансмутационное легирование полупроводников под действием заряженных частиц // Модифицирование полупроводников пучками протонов / В. В. Козловский ; отв. ред. Р. Ш. Малкович . – М. : Наука, 2003 . – с.105-135 .
2. Трансмутационное легирование полупроводников под действием заряженных частиц // Модифицирование полупроводников пучками протонов / В. В. Козловский ; отв. ред. Р. Ш. Малкович . – М. : Наука, 2003 . – с.105-135 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Книга
Козловский, В. В.
Модифицирование полупроводников пучками протонов
Наука, 2003 г.
ISBN 5-02-024988-2
Библиотека МИСиС : Научный
Козловский, В. В.
Модифицирование полупроводников пучками протонов
Наука, 2003 г.
ISBN 5-02-024988-2
Библиотека МИСиС : Научный