Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Качурин, Г. А. - Влияние имплантации ионов Р на фотолюминесценцию нанокристаллов Si в слоях SiO2 / Низкоразмерные ...
Качурин, Г. А. - Влияние имплантации ионов Р на фотолюминесценцию нанокристаллов Si в слоях SiO2 / Низкоразмерные ...
Статья
Автор: Качурин, Г. А.
Физика и техника полупроводников: Влияние имплантации ионов Р на фотолюминесценцию нанокристаллов Si в слоях SiO2 / Низкоразмерные ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Качурин, Г. А.
Физика и техника полупроводников: Влияние имплантации ионов Р на фотолюминесценцию нанокристаллов Si в слоях SiO2 / Низкоразмерные ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Качурин, Г. А.
Влияние имплантации ионов Р на фотолюминесценцию нанокристаллов Si в слоях SiO2 / Низкоразмерные системы / Г. А. Качурин, С. Г. Яновская, Д. И. Тетельбаум, А. Н. Михайлов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2003 . – Т. 37, N 6 . – с. 738-742 .
Качурин, Г. А.
Влияние имплантации ионов Р на фотолюминесценцию нанокристаллов Si в слоях SiO2 / Низкоразмерные системы / Г. А. Качурин, С. Г. Яновская, Д. И. Тетельбаум, А. Н. Михайлов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2003 . – Т. 37, N 6 . – с. 738-742 .