Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Александров, О. В. - Образование донорных центров при отжиге кремния, имплантированного эрбием
Александров, О. В. - Образование донорных центров при отжиге кремния, имплантированного эрбием
Статья
Автор: Александров, О. В.
Физика и техника полупроводников: Образование донорных центров при отжиге кремния, имплантированного эрбием
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Александров, О. В.
Физика и техника полупроводников: Образование донорных центров при отжиге кремния, имплантированного эрбием
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Александров, О. В.
Образование донорных центров при отжиге кремния, имплантированного эрбием / О. В. Александров, Н. А. Соболев, Е. И. Шек, А. В. Меркулов // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 5 . – с. 876-883 .
Александров, О. В.
Образование донорных центров при отжиге кремния, имплантированного эрбием / О. В. Александров, Н. А. Соболев, Е. И. Шек, А. В. Меркулов // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 5 . – с. 876-883 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 30, N 5
1996 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 30, N 5
1996 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный