Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Воронина, Т. И. - Высокая подвижность носителей в гетероструктурах p-GaInAsSb/p-InAs
Воронина, Т. И. - Высокая подвижность носителей в гетероструктурах p-GaInAsSb/p-InAs
Статья
Автор: Воронина, Т. И.
Физика и техника полупроводников: Высокая подвижность носителей в гетероструктурах p-GaInAsSb/p-InAs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Воронина, Т. И.
Физика и техника полупроводников: Высокая подвижность носителей в гетероструктурах p-GaInAsSb/p-InAs
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Воронина, Т. И.
Высокая подвижность носителей в гетероструктурах p-GaInAsSb/p-InAs / Т. И. Воронина, Т. С. Лагунова, М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 6 . – с. 985-991 .
Воронина, Т. И.
Высокая подвижность носителей в гетероструктурах p-GaInAsSb/p-InAs / Т. И. Воронина, Т. С. Лагунова, М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 6 . – с. 985-991 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 30, N 6
1996 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 30, N 6
1996 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный