Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Вейс, А. Н. - Исследование коэффициента поглощения в теллуриде свинца, имплантированном высокими дозами аргона
Вейс, А. Н. - Исследование коэффициента поглощения в теллуриде свинца, имплантированном высокими дозами аргона
Статья
Автор: Вейс, А. Н.
Физика и техника полупроводников: Исследование коэффициента поглощения в теллуриде свинца, имплантированном высокими дозами аргона
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Вейс, А. Н.
Физика и техника полупроводников: Исследование коэффициента поглощения в теллуриде свинца, имплантированном высокими дозами аргона
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Вейс, А. Н.
Исследование коэффициента поглощения в теллуриде свинца, имплантированном высокими дозами аргона / А. Н. Вейс // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 6 . – с. 1144-1149 .
Вейс, А. Н.
Исследование коэффициента поглощения в теллуриде свинца, имплантированном высокими дозами аргона / А. Н. Вейс // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 6 . – с. 1144-1149 .