Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Быковский, В. А.
Излучательная рекомбинация и примесно-дефектное взаимодействие в ядерно-легированном арсениде галлия, полученном в различных условиях облучения и роста кристаллов / В. А. Быковский, Ф. П. Коршунов, Е. С. Солодовников, В. И. Утенко, В. Ф. Шох // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 7 . – с. 1304-1312 .