Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Айдаралиев, М. - Лазерные ДГС на основе InAsSbP-InAs-InAsSbP с p-n-переходом в активной области
Айдаралиев, М. - Лазерные ДГС на основе InAsSbP-InAs-InAsSbP с p-n-переходом в активной области
Статья
Автор: Айдаралиев, М.
Физика и техника полупроводников: Лазерные ДГС на основе InAsSbP-InAs-InAsSbP с p-n-переходом в активной области
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Айдаралиев, М.
Физика и техника полупроводников: Лазерные ДГС на основе InAsSbP-InAs-InAsSbP с p-n-переходом в активной области
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Айдаралиев, М.
Лазерные ДГС на основе InAsSbP-InAs-InAsSbP с p-n-переходом в активной области / М. Айдаралиев, М. С. Бреслер, О. Б. Гусев, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 8 . – с. 1353-1361 .
Айдаралиев, М.
Лазерные ДГС на основе InAsSbP-InAs-InAsSbP с p-n-переходом в активной области / М. Айдаралиев, М. С. Бреслер, О. Б. Гусев, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 8 . – с. 1353-1361 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 30, N 8
1996 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 30, N 8
1996 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный