Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Антонова, И. В. - Исследования методом DLTS эволюции кислородных преципитатов, сформированных в Si, при высокой тем...
Антонова, И. В. - Исследования методом DLTS эволюции кислородных преципитатов, сформированных в Si, при высокой тем...
Статья
Автор: Антонова, И. В.
Физика и техника полупроводников: Исследования методом DLTS эволюции кислородных преципитатов, сформированных в Si, при высокой тем...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Антонова, И. В.
Физика и техника полупроводников: Исследования методом DLTS эволюции кислородных преципитатов, сформированных в Si, при высокой тем...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Антонова, И. В.
Исследования методом DLTS эволюции кислородных преципитатов, сформированных в Si, при высокой температуре и высоком давлении / И. В. Антонова, А. Мисюк, В. П. Попов, Л. И. Федина, С. С. Шаймеев // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 8 . – с. 1446-1454 .
Антонова, И. В.
Исследования методом DLTS эволюции кислородных преципитатов, сформированных в Si, при высокой температуре и высоком давлении / И. В. Антонова, А. Мисюк, В. П. Попов, Л. И. Федина, С. С. Шаймеев // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 8 . – с. 1446-1454 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 30, N 8
1996 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 30, N 8
1996 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный