Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Журавлев, К. С.
Влияние температуры зоны крекинга твердотельного источника мышьяка на состав фоновых примесей в GaAs, полученном методом молекулярно-лучевой эпитаксии / К. С. Журавлев, А. К. Калагин, Н. Т. Мошегов, А. И. Торопов, Т. С. Шамирзаев, О. А. Шегай // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 9 . – с. 1704-1717 .