Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Цацульников, А. Ф. - Особенности фотолюминесценции гетероструктур In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As с двусторонним легиров...
Цацульников, А. Ф. - Особенности фотолюминесценции гетероструктур In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As с двусторонним легиров...
Статья
Автор: Цацульников, А. Ф.
Физика и техника полупроводников: Особенности фотолюминесценции гетероструктур In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As с двусторонним легиров...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Цацульников, А. Ф.
Физика и техника полупроводников: Особенности фотолюминесценции гетероструктур In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As с двусторонним легиров...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Цацульников, А. Ф.
Особенности фотолюминесценции гетероструктур In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As с двусторонним легированием / А. Ф. Цацульников, В. М. Устинов, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, М. В. Максимов, П. С. Копьев // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 10 . – с. 1814-1821 .
Цацульников, А. Ф.
Особенности фотолюминесценции гетероструктур In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As с двусторонним легированием / А. Ф. Цацульников, В. М. Устинов, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, М. В. Максимов, П. С. Копьев // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 10 . – с. 1814-1821 .