Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников

Доступно
1 из 1
1 из 1
Выпуск
Автор:
Физика и техника полупроводников. Т. 24, N 1
Издательство: Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Автор:
Физика и техника полупроводников. Т. 24, N 1
Издательство: Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука, 1990 . – Т. 24, N 1 .
621.3
Общий = Физика : полупроводники
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука, 1990 . – Т. 24, N 1 .
621.3
Общий = Физика : полупроводники
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:

Связанные описания:


Статья
Арутюнян, В. М.
Влияние полевой диссоциации экситонов на фототок в полупроводниках / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Арутюнян, В. М.
Влияние полевой диссоциации экситонов на фототок в полупроводниках / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует


Статья
Гельмонт, Б. Л.
Энергия связи дырки с нейтральным акцептором в алмазоподобных полупроводниках / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Гельмонт, Б. Л.
Энергия связи дырки с нейтральным акцептором в алмазоподобных полупроводниках / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует

Статья
Васильев, В. П.
Зеемановское расщепление 3Г8-состояния мелких акцепторов в германии / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Васильев, В. П.
Зеемановское расщепление 3Г8-состояния мелких акцепторов в германии / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует




Статья
Колин, Н. Г.
Влияние отклонения состава от стехиометрии на электрофизические свойства ядерно легированного арс...
б.г.
ISBN отсутствует
Колин, Н. Г.
Влияние отклонения состава от стехиометрии на электрофизические свойства ядерно легированного арс...
б.г.
ISBN отсутствует

Статья
Иванюкович, В. А.
Низкотемпературное облучение арсенида галлия / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Иванюкович, В. А.
Низкотемпературное облучение арсенида галлия / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует

Статья
Михнович, В. В.
Модель кинетики формирования радиационных дефектов в кремниевых диодных структурах
б.г.
ISBN отсутствует
Михнович, В. В.
Модель кинетики формирования радиационных дефектов в кремниевых диодных структурах
б.г.
ISBN отсутствует

Статья
Соколина, Г. А.
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
б.г.
ISBN отсутствует
Соколина, Г. А.
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
б.г.
ISBN отсутствует


Статья
Либенсон, Б. Н.
Особенности возбуждения плазмонов в ионно-имплантированном полупроводнике
б.г.
ISBN отсутствует
Либенсон, Б. Н.
Особенности возбуждения плазмонов в ионно-имплантированном полупроводнике
б.г.
ISBN отсутствует





Статья
Алешкин, В. Я.
Инверсные распределения электронов в полупроводниковых гетероструктурах с одной квантовой ямой
б.г.
ISBN отсутствует
Алешкин, В. Я.
Инверсные распределения электронов в полупроводниковых гетероструктурах с одной квантовой ямой
б.г.
ISBN отсутствует

Статья
Вейс, А. Н.
Исследование коэффициента поглощения в PbTe, имплантированном цинком
б.г.
ISBN отсутствует
Вейс, А. Н.
Исследование коэффициента поглощения в PbTe, имплантированном цинком
б.г.
ISBN отсутствует

Статья
Баранский, П. И.
Влияние пластической деформации на гальваномагнитные и фотоэлектрические свойства n-CdxHg1-xTe
б.г.
ISBN отсутствует
Баранский, П. И.
Влияние пластической деформации на гальваномагнитные и фотоэлектрические свойства n-CdxHg1-xTe
б.г.
ISBN отсутствует

Статья
Рыжий, В. И.
К теории полевого полупроводникового инжектора с туннельно-резонансной структурой
б.г.
ISBN отсутствует
Рыжий, В. И.
К теории полевого полупроводникового инжектора с туннельно-резонансной структурой
б.г.
ISBN отсутствует

Статья
Вяткин, А. П.
Тензоэлектрические явления в контактах металл-арсенид галлия при анизотропном давлении
б.г.
ISBN отсутствует
Вяткин, А. П.
Тензоэлектрические явления в контактах металл-арсенид галлия при анизотропном давлении
б.г.
ISBN отсутствует


Статья
Баранов, А. Н.
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов p-GaInSbAs
б.г.
ISBN отсутствует
Баранов, А. Н.
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов p-GaInSbAs
б.г.
ISBN отсутствует

Статья
Акимов, А. В.
Перезахват неосновных носителей в условиях фотоионизации в эпитаксиальном n-GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Акимов, А. В.
Перезахват неосновных носителей в условиях фотоионизации в эпитаксиальном n-GaAs
б.г.
ISBN отсутствует


Статья
Ахметов, В. Д.
Изменение концентрации атомов бора и фосфора в узлах решетки кремния при облучении электронами
б.г.
ISBN отсутствует
Ахметов, В. Д.
Изменение концентрации атомов бора и фосфора в узлах решетки кремния при облучении электронами
б.г.
ISBN отсутствует

Статья
Мельникова, Ю. С.
О понижении порога неустойчивости однородного лавинного пробоя кремниевых p+ -n-переходов
б.г.
ISBN отсутствует
Мельникова, Ю. С.
О понижении порога неустойчивости однородного лавинного пробоя кремниевых p+ -n-переходов
б.г.
ISBN отсутствует

Статья
Васько, Ф. Т.
Поляризованная люминесценция размерно-квантованных гетероструктур
б.г.
ISBN отсутствует
Васько, Ф. Т.
Поляризованная люминесценция размерно-квантованных гетероструктур
б.г.
ISBN отсутствует

Статья
Брандт, Н. Б.
Гальваномагнитные эффекты в сплаве p-Pb1-xSnxTe(x=0.2), облученном электронами
б.г.
ISBN отсутствует
Брандт, Н. Б.
Гальваномагнитные эффекты в сплаве p-Pb1-xSnxTe(x=0.2), облученном электронами
б.г.
ISBN отсутствует

Статья
Витман, Р. Ф.
'Проявление' скоплений атомов электрически не активных примесей в n-кремнии при гамма-облучении
б.г.
ISBN отсутствует
Витман, Р. Ф.
'Проявление' скоплений атомов электрически не активных примесей в n-кремнии при гамма-облучении
б.г.
ISBN отсутствует



Статья
Гальперин, Ю. М.
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (обзор)
б.г.
ISBN отсутствует
Гальперин, Ю. М.
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (обзор)
б.г.
ISBN отсутствует