Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Акимов, А. В. - Перезахват неосновных носителей в условиях фотоионизации в эпитаксиальном n-GaAs
Акимов, А. В. - Перезахват неосновных носителей в условиях фотоионизации в эпитаксиальном n-GaAs
Статья
Автор: Акимов, А. В.
Физика и техника полупроводников: Перезахват неосновных носителей в условиях фотоионизации в эпитаксиальном n-GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Акимов, А. В.
Физика и техника полупроводников: Перезахват неосновных носителей в условиях фотоионизации в эпитаксиальном n-GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Акимов, А. В.
Перезахват неосновных носителей в условиях фотоионизации в эпитаксиальном n-GaAs / А. В. Акимов, Ю. В. Жиляев, В. В. Криволапчук, В. Г. Шофман // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 1 . – с. 82-92 .
Акимов, А. В.
Перезахват неосновных носителей в условиях фотоионизации в эпитаксиальном n-GaAs / А. В. Акимов, Ю. В. Жиляев, В. В. Криволапчук, В. Г. Шофман // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 1 . – с. 82-92 .