Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Вейс, А. Н. - Исследование коэффициента поглощения в PbTe, имплантированном цинком
Вейс, А. Н. - Исследование коэффициента поглощения в PbTe, имплантированном цинком
Статья
Автор: Вейс, А. Н.
Физика и техника полупроводников: Исследование коэффициента поглощения в PbTe, имплантированном цинком
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Вейс, А. Н.
Физика и техника полупроводников: Исследование коэффициента поглощения в PbTe, имплантированном цинком
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Вейс, А. Н.
Исследование коэффициента поглощения в PbTe, имплантированном цинком / А. Н. Вейс, З. М. Дашевский, М. П. Руленко // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 1 . – с. 126-130 .
Вейс, А. Н.
Исследование коэффициента поглощения в PbTe, имплантированном цинком / А. Н. Вейс, З. М. Дашевский, М. П. Руленко // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 1 . – с. 126-130 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 1
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 1
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный