Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Барышев, Н. С. - Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe (обзор)
Барышев, Н. С. - Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe (обзор)
Статья
Автор: Барышев, Н. С.
Физика и техника полупроводников: Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe (обзор)
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Барышев, Н. С.
Физика и техника полупроводников: Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe (обзор)
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Барышев, Н. С.
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe (обзор) / Н. С. Барышев, Б. Л. Гельмонт, М. И. Ибрагимова // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 2 . – с. 209-224 .
Барышев, Н. С.
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe (обзор) / Н. С. Барышев, Б. Л. Гельмонт, М. И. Ибрагимова // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 2 . – с. 209-224 .