Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Фомин, И. А. - Исследование эпитаксиальных слоев InGaAsP с низким уровнем легирования
Фомин, И. А. - Исследование эпитаксиальных слоев InGaAsP с низким уровнем легирования
Статья
Автор: Фомин, И. А.
Физика и техника полупроводников: Исследование эпитаксиальных слоев InGaAsP с низким уровнем легирования
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Фомин, И. А.
Физика и техника полупроводников: Исследование эпитаксиальных слоев InGaAsP с низким уровнем легирования
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Фомин, И. А.
Исследование эпитаксиальных слоев InGaAsP с низким уровнем легирования / И. А. Фомин, В. И. Фетисова, Н. М. Анненко, Н. В. Науменко // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 2 . – с. 231-233 .
Фомин, И. А.
Исследование эпитаксиальных слоев InGaAsP с низким уровнем легирования / И. А. Фомин, В. И. Фетисова, Н. М. Анненко, Н. В. Науменко // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 2 . – с. 231-233 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 2
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 2
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный