Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Алферов, Ж. И. - (In, Ga, Al) As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga) As напряженной квантовой ямой, ог...
Алферов, Ж. И. - (In, Ga, Al) As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga) As напряженной квантовой ямой, ог...
Статья
Автор: Алферов, Ж. И.
Физика и техника полупроводников: (In, Ga, Al) As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga) As напряженной квантовой ямой, ог...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Алферов, Ж. И.
Физика и техника полупроводников: (In, Ga, Al) As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga) As напряженной квантовой ямой, ог...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Алферов, Ж. И.
(In, Ga, Al) As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga) As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой / Краткие сообщения / Ж. И. Алферов, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, С. В. Шапошников // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 2 . – с. 359-360 .
Алферов, Ж. И.
(In, Ga, Al) As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga) As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой / Краткие сообщения / Ж. И. Алферов, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, С. В. Шапошников // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 2 . – с. 359-360 .