Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Выпуск
Автор:
Физика и техника полупроводников. Т. 24, N 7
Издательство: Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Автор:
Физика и техника полупроводников. Т. 24, N 7
Издательство: Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука, 1990 . – Т. 24, N 7 .
621.3
Общий = Физика : полупроводники
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука, 1990 . – Т. 24, N 7 .
621.3
Общий = Физика : полупроводники
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Гольдфарб, М. В.
Электронное взаимодействие доноров с дислокацией / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Гольдфарб, М. В.
Электронное взаимодействие доноров с дислокацией / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Гуревич, Ю. Г.
К теории термоэлектрических явлений в биполярных полупроводниках / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Гуревич, Ю. Г.
К теории термоэлектрических явлений в биполярных полупроводниках / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Масленников, Н. М.
К вопросу о величине коэффициента ионизации в кремнии / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Масленников, Н. М.
К вопросу о величине коэффициента ионизации в кремнии / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Бахышов, А. Э.
Электронные свойства кристаллов TlGaSe2 и TlInS2 в нестационарном режиме / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Бахышов, А. Э.
Электронные свойства кристаллов TlGaSe2 и TlInS2 в нестационарном режиме / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Мусатов, А. Л.
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
б.г.
ISBN отсутствует
Мусатов, А. Л.
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Медведкин, Г. А.
Анизотропия краевого оптического поглощения компенсированных кристаллов n-CdGeP2
б.г.
ISBN отсутствует
Медведкин, Г. А.
Анизотропия краевого оптического поглощения компенсированных кристаллов n-CdGeP2
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Синявский, Э. П.
Особенности однофонного захвата электрона в магнитном поле
б.г.
ISBN отсутствует
Синявский, Э. П.
Особенности однофонного захвата электрона в магнитном поле
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Бугаева, Т. В.
К теории акустической инжекции в пьезополупроводниковых p-n-переходах
б.г.
ISBN отсутствует
Бугаева, Т. В.
К теории акустической инжекции в пьезополупроводниковых p-n-переходах
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Кадушкин, В. И.
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
б.г.
ISBN отсутствует
Кадушкин, В. И.
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Семенюк, Ю. А.
Низкотемпературный примесный пробой в сплавах германий-кремний
б.г.
ISBN отсутствует
Семенюк, Ю. А.
Низкотемпературный примесный пробой в сплавах германий-кремний
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ершов, М. Ю.
К теории переноса горячих электронов в гетероструктурных транзисторах
б.г.
ISBN отсутствует
Ершов, М. Ю.
К теории переноса горячих электронов в гетероструктурных транзисторах
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Голик, Л. Л.
Бифуркации удвоения периода и хаос в модели температурно-электрической неустойчивости в полупрово...
б.г.
ISBN отсутствует
Голик, Л. Л.
Бифуркации удвоения периода и хаос в модели температурно-электрической неустойчивости в полупрово...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Дощанов, К. М.
Механизм АФН эффекта в поликристаллических полупроводниках
б.г.
ISBN отсутствует
Дощанов, К. М.
Механизм АФН эффекта в поликристаллических полупроводниках
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Васько, Ф. Т.
Междузонные ИК переходы в одноосно деформированном узкощелевом полупроводнике
б.г.
ISBN отсутствует
Васько, Ф. Т.
Междузонные ИК переходы в одноосно деформированном узкощелевом полупроводнике
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Емцев, В. В.
Влияние условий электронного облучения на скорость образования А-центров в n-кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Емцев, В. В.
Влияние условий электронного облучения на скорость образования А-центров в n-кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Голикова, О. А.
Удельные сдвиги носителей заряда и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Голикова, О. А.
Удельные сдвиги носителей заряда и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Арушанов, Э. К.
Электрические свойства антимонида кадмия, легированного Sm и Eu, при низких температурах
б.г.
ISBN отсутствует
Арушанов, Э. К.
Электрические свойства антимонида кадмия, легированного Sm и Eu, при низких температурах
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ауслендер, М. И.
Теория пьезосопротивления в ферромагнитных полупроводниках HgCr2Se4 и CdCr2Se4 p-типа
б.г.
ISBN отсутствует
Ауслендер, М. И.
Теория пьезосопротивления в ферромагнитных полупроводниках HgCr2Se4 и CdCr2Se4 p-типа
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Вирро, А. Л.
Влияние утечки электронов на пороговый ток AlGaAsSb/GaSb инжекционных гетеролазеров
б.г.
ISBN отсутствует
Вирро, А. Л.
Влияние утечки электронов на пороговый ток AlGaAsSb/GaSb инжекционных гетеролазеров
б.г.
ISBN отсутствует