Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Берт, Н. А. - Влияние толщины верхнего узкозонного слоя на концентрацию двумерных электронов в инвертированных ...
Берт, Н. А. - Влияние толщины верхнего узкозонного слоя на концентрацию двумерных электронов в инвертированных ...
Статья
Автор: Берт, Н. А.
Физика и техника полупроводников: Влияние толщины верхнего узкозонного слоя на концентрацию двумерных электронов в инвертированных ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Берт, Н. А.
Физика и техника полупроводников: Влияние толщины верхнего узкозонного слоя на концентрацию двумерных электронов в инвертированных ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Берт, Н. А.
Влияние толщины верхнего узкозонного слоя на концентрацию двумерных электронов в инвертированных гетероструктурах InP/In0.53Ga0.47As / Н. А. Берт, В. В. Воробьева, М. В. Воронцова, А. М. Крещук, С. В. Новиков, К. Ю. Погребицкий, И. Г. Савельев, Д. Ж. Сайфидинов, И. П. Сошников, А. Я. Шик // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 4 . – с. 653-659 .
Берт, Н. А.
Влияние толщины верхнего узкозонного слоя на концентрацию двумерных электронов в инвертированных гетероструктурах InP/In0.53Ga0.47As / Н. А. Берт, В. В. Воробьева, М. В. Воронцова, А. М. Крещук, С. В. Новиков, К. Ю. Погребицкий, И. Г. Савельев, Д. Ж. Сайфидинов, И. П. Сошников, А. Я. Шик // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 4 . – с. 653-659 .