Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Копьев, П. С. - Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижно...
Копьев, П. С. - Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижно...
Статья
Автор: Копьев, П. С.
Физика и техника полупроводников: Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижно...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Копьев, П. С.
Физика и техника полупроводников: Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижно...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Копьев, П. С.
Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижностью двумерных электронов / П. С. Копьев, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, Ю. М. Надточий, В. М. Устинов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 4 . – с. 717-719 .
Копьев, П. С.
Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижностью двумерных электронов / П. С. Копьев, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, Ю. М. Надточий, В. М. Устинов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 4 . – с. 717-719 .