Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Оконечников, А. П. - Влияние облучения ионами He2+ на диффузионную длину неосновных носителей заряда в ZnSe / Краткие ...
Оконечников, А. П. - Влияние облучения ионами He2+ на диффузионную длину неосновных носителей заряда в ZnSe / Краткие ...
Статья
Автор: Оконечников, А. П.
Физика и техника полупроводников: Влияние облучения ионами He2+ на диффузионную длину неосновных носителей заряда в ZnSe / Краткие ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Оконечников, А. П.
Физика и техника полупроводников: Влияние облучения ионами He2+ на диффузионную длину неосновных носителей заряда в ZnSe / Краткие ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Оконечников, А. П.
Влияние облучения ионами He2+ на диффузионную длину неосновных носителей заряда в ZnSe / Краткие сообщения / А. П. Оконечников, Н. Н. Мельник, Ф. Ф. Гаврилов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 4 . – с. 747-748 .
Оконечников, А. П.
Влияние облучения ионами He2+ на диффузионную длину неосновных носителей заряда в ZnSe / Краткие сообщения / А. П. Оконечников, Н. Н. Мельник, Ф. Ф. Гаврилов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 4 . – с. 747-748 .