Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Андреев, А. П. - Влияние отклонения от стехиометрии на свойства диффузионных p-n-переходов на основе карбида кремния
Андреев, А. П. - Влияние отклонения от стехиометрии на свойства диффузионных p-n-переходов на основе карбида кремния
Статья
Автор: Андреев, А. П.
Физика и техника полупроводников: Влияние отклонения от стехиометрии на свойства диффузионных p-n-переходов на основе карбида кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Андреев, А. П.
Физика и техника полупроводников: Влияние отклонения от стехиометрии на свойства диффузионных p-n-переходов на основе карбида кремния
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Андреев, А. П.
Влияние отклонения от стехиометрии на свойства диффузионных p-n-переходов на основе карбида кремния / А. П. Андреев, Э. Е. Виолин, В. И. Левин, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, И. Е. Яременко // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 5 . – с. 821-824 .
Андреев, А. П.
Влияние отклонения от стехиометрии на свойства диффузионных p-n-переходов на основе карбида кремния / А. П. Андреев, Э. Е. Виолин, В. И. Левин, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, И. Е. Яременко // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 5 . – с. 821-824 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 5
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 5
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный