Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ильичев, Э. А. - Гетеропереход n-GaAs-ZnS в МДП приборах. II. Транзисторы с изолированным затвором
Ильичев, Э. А. - Гетеропереход n-GaAs-ZnS в МДП приборах. II. Транзисторы с изолированным затвором
Статья
Автор: Ильичев, Э. А.
Физика и техника полупроводников: Гетеропереход n-GaAs-ZnS в МДП приборах. II. Транзисторы с изолированным затвором
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ильичев, Э. А.
Физика и техника полупроводников: Гетеропереход n-GaAs-ZnS в МДП приборах. II. Транзисторы с изолированным затвором
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ильичев, Э. А.
Гетеропереход n-GaAs-ZnS в МДП приборах. II. Транзисторы с изолированным затвором / Э. А. Ильичев, С. П. Олейник, Л. И. Матына, И. В. Варламов, Т. Л. Липшиц, В. Н. Инкин // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 6 . – с. 978-981 .
Ильичев, Э. А.
Гетеропереход n-GaAs-ZnS в МДП приборах. II. Транзисторы с изолированным затвором / Э. А. Ильичев, С. П. Олейник, Л. И. Матына, И. В. Варламов, Т. Л. Липшиц, В. Н. Инкин // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 6 . – с. 978-981 .