Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Помозов, Ю. В. - Трансформация точечных дефектов при отжиге Si и Si:Ge, облученных нейтронами
Помозов, Ю. В. - Трансформация точечных дефектов при отжиге Si и Si:Ge, облученных нейтронами
Статья
Автор: Помозов, Ю. В.
Физика и техника полупроводников: Трансформация точечных дефектов при отжиге Si и Si:Ge, облученных нейтронами
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Помозов, Ю. В.
Физика и техника полупроводников: Трансформация точечных дефектов при отжиге Si и Si:Ge, облученных нейтронами
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Помозов, Ю. В.
Трансформация точечных дефектов при отжиге Si и Si:Ge, облученных нейтронами / Ю. В. Помозов, Л. И. Хируненко, В. И. Шаховцов, В. И. Яшник // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 6 . – с. 993-996 .
Помозов, Ю. В.
Трансформация точечных дефектов при отжиге Si и Si:Ge, облученных нейтронами / Ю. В. Помозов, Л. И. Хируненко, В. И. Шаховцов, В. И. Яшник // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 6 . – с. 993-996 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 6
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 6
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный