Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Андреева, В. Д. - Структура кристаллов GaAs<Te>, модифицированных импульсным лазерным излучением
Андреева, В. Д. - Структура кристаллов GaAs<Te>, модифицированных импульсным лазерным излучением
Статья
Автор: Андреева, В. Д.
Физика и техника полупроводников: Структура кристаллов GaAs, модифицированных импульсным лазерным излучением
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Андреева, В. Д.
Физика и техника полупроводников: Структура кристаллов GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Андреева, В. Д.
Структура кристаллов GaAs, модифицированных импульсным лазерным излучением / В. Д. Андреева, М. И. Анисимов, Н. Г. Джумамухамбетов, А. Г. Дмитриев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 6 . – с. 1010-1013 .
Андреева, В. Д.
Структура кристаллов GaAs
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 6
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 6
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный