Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Воробьева, В. В. - Изучение переходной области между эптаксиальными слоями InP и In0.53Ga0.47As в гетероструктурах с...
Воробьева, В. В. - Изучение переходной области между эптаксиальными слоями InP и In0.53Ga0.47As в гетероструктурах с...
Статья
Автор: Воробьева, В. В.
Физика и техника полупроводников: Изучение переходной области между эптаксиальными слоями InP и In0.53Ga0.47As в гетероструктурах с...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Воробьева, В. В.
Физика и техника полупроводников: Изучение переходной области между эптаксиальными слоями InP и In0.53Ga0.47As в гетероструктурах с...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Воробьева, В. В.
Изучение переходной области между эптаксиальными слоями InP и In0.53Ga0.47As в гетероструктурах с 2МЭГ / В. В. Воробьева, А. М. Крещук, Т. Л. Макарова, С. В. Новиков, К. Ю. Погребицкий, И. Г. Савельев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 6 . – с. 1026-1030 .
Воробьева, В. В.
Изучение переходной области между эптаксиальными слоями InP и In0.53Ga0.47As в гетероструктурах с 2МЭГ / В. В. Воробьева, А. М. Крещук, Т. Л. Макарова, С. В. Новиков, К. Ю. Погребицкий, И. Г. Савельев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 6 . – с. 1026-1030 .