Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Клингер, П. М. - Параметры компенсирующих центров в n-Si сильно компенсированным облучением / Краткие сообщения
Клингер, П. М. - Параметры компенсирующих центров в n-Si сильно компенсированным облучением / Краткие сообщения
Статья
Автор: Клингер, П. М.
Физика и техника полупроводников: Параметры компенсирующих центров в n-Si сильно компенсированным облучением / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Клингер, П. М.
Физика и техника полупроводников: Параметры компенсирующих центров в n-Si сильно компенсированным облучением / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Клингер, П. М.
Параметры компенсирующих центров в n-Si сильно компенсированным облучением / Краткие сообщения / П. М. Клингер, В. И. Фистуль // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 6 . – с. 1118-1119 .
Клингер, П. М.
Параметры компенсирующих центров в n-Si сильно компенсированным облучением / Краткие сообщения / П. М. Клингер, В. И. Фистуль // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 6 . – с. 1118-1119 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 6
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 6
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный