Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Крещук, А. М. - Инвертированная гетероструктура InP/In0.53Ga0.47As для полевого транзистора / Краткие сообщения
Крещук, А. М. - Инвертированная гетероструктура InP/In0.53Ga0.47As для полевого транзистора / Краткие сообщения
Статья
Автор: Крещук, А. М.
Физика и техника полупроводников: Инвертированная гетероструктура InP/In0.53Ga0.47As для полевого транзистора / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Крещук, А. М.
Физика и техника полупроводников: Инвертированная гетероструктура InP/In0.53Ga0.47As для полевого транзистора / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Крещук, А. М.
Инвертированная гетероструктура InP/In0.53Ga0.47As для полевого транзистора / Краткие сообщения / А. М. Крещук, Е. П. Лаурс, С. В. Новиков, И. Г. Савельев, Е. М. Семашко, М. А. Стовповой, А. Я. Шик // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 6 . – с. 1145-1147 .
Крещук, А. М.
Инвертированная гетероструктура InP/In0.53Ga0.47As для полевого транзистора / Краткие сообщения / А. М. Крещук, Е. П. Лаурс, С. В. Новиков, И. Г. Савельев, Е. М. Семашко, М. А. Стовповой, А. Я. Шик // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 6 . – с. 1145-1147 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 6
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 6
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный