Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Бахышов, А. Э. - Электронные свойства кристаллов TlGaSe2 и TlInS2 в нестационарном режиме / Краткие сообщения
Бахышов, А. Э. - Электронные свойства кристаллов TlGaSe2 и TlInS2 в нестационарном режиме / Краткие сообщения
Статья
Автор: Бахышов, А. Э.
Физика и техника полупроводников: Электронные свойства кристаллов TlGaSe2 и TlInS2 в нестационарном режиме / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Бахышов, А. Э.
Физика и техника полупроводников: Электронные свойства кристаллов TlGaSe2 и TlInS2 в нестационарном режиме / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Бахышов, А. Э.
Электронные свойства кристаллов TlGaSe2 и TlInS2 в нестационарном режиме / Краткие сообщения / А. Э. Бахышов, Б. А. Натиг, Б. Сафуат, С. Р. Самедов, Ш. М. Аббасов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 7 . – с. 1318-1319 .
Бахышов, А. Э.
Электронные свойства кристаллов TlGaSe2 и TlInS2 в нестационарном режиме / Краткие сообщения / А. Э. Бахышов, Б. А. Натиг, Б. Сафуат, С. Р. Самедов, Ш. М. Аббасов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 7 . – с. 1318-1319 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 7
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 7
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный