Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Аветисян, С. К. - Деформация лазерного импульса, распространяющегося, в n-Ge при гелиевых температурах
Аветисян, С. К. - Деформация лазерного импульса, распространяющегося, в n-Ge при гелиевых температурах
Статья
Автор: Аветисян, С. К.
Физика и техника полупроводников: Деформация лазерного импульса, распространяющегося, в n-Ge при гелиевых температурах
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Аветисян, С. К.
Физика и техника полупроводников: Деформация лазерного импульса, распространяющегося, в n-Ge при гелиевых температурах
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Аветисян, С. К.
Деформация лазерного импульса, распространяющегося, в n-Ge при гелиевых температурах / С. К. Аветисян, С. С. Данагулян, Г. Р. Минасян // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 8 . – с. 1421-1423 .
Аветисян, С. К.
Деформация лазерного импульса, распространяющегося, в n-Ge при гелиевых температурах / С. К. Аветисян, С. С. Данагулян, Г. Р. Минасян // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 8 . – с. 1421-1423 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 8
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 8
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный