Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Мусатов, А. Л. - Эмиссионные характеристики полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки InGaAs-InP-Ag
Мусатов, А. Л. - Эмиссионные характеристики полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки InGaAs-InP-Ag
Статья
Автор: Мусатов, А. Л.
Физика и техника полупроводников: Эмиссионные характеристики полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки InGaAs-InP-Ag
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Мусатов, А. Л.
Физика и техника полупроводников: Эмиссионные характеристики полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки InGaAs-InP-Ag
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Мусатов, А. Л.
Эмиссионные характеристики полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки InGaAs-InP-Ag / А. Л. Мусатов, К. Р. Израэльяц, В. Л. Коротких, С. Л. Филиппов, Е. В. Руссу, И. И. Дякону // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 9 . – с. 1523-1530 .
Мусатов, А. Л.
Эмиссионные характеристики полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки InGaAs-InP-Ag / А. Л. Мусатов, К. Р. Израэльяц, В. Л. Коротких, С. Л. Филиппов, Е. В. Руссу, И. И. Дякону // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 9 . – с. 1523-1530 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 9
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 9
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный