Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Журавлев, К. С. - Исследование комплексообразования в эпитаксиальном сильно легированном p-GaAs:Ge методом фотолюми...
Журавлев, К. С. - Исследование комплексообразования в эпитаксиальном сильно легированном p-GaAs:Ge методом фотолюми...
Статья
Автор: Журавлев, К. С.
Физика и техника полупроводников: Исследование комплексообразования в эпитаксиальном сильно легированном p-GaAs:Ge методом фотолюми...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Журавлев, К. С.
Физика и техника полупроводников: Исследование комплексообразования в эпитаксиальном сильно легированном p-GaAs:Ge методом фотолюми...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Журавлев, К. С.
Исследование комплексообразования в эпитаксиальном сильно легированном p-GaAs:Ge методом фотолюминесценции / К. С. Журавлев, С. И. Чикичев, Р. Штаске, Н. А. Якушева // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 9 . – с. 1645-1649 .
Журавлев, К. С.
Исследование комплексообразования в эпитаксиальном сильно легированном p-GaAs:Ge методом фотолюминесценции / К. С. Журавлев, С. И. Чикичев, Р. Штаске, Н. А. Якушева // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 9 . – с. 1645-1649 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 9
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 9
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный