Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Глебов, С. С. - Глубокие уровни дефектов, возникающих в структурах Si-PtaSib в результате воздействия импульсной ...
Глебов, С. С. - Глубокие уровни дефектов, возникающих в структурах Si-PtaSib в результате воздействия импульсной ...
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Автор: Глебов, С. С.
Физика и техника полупроводников: Глубокие уровни дефектов, возникающих в структурах Si-PtaSib в результате воздействия импульсной ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Глебов, С. С.
Физика и техника полупроводников: Глубокие уровни дефектов, возникающих в структурах Si-PtaSib в результате воздействия импульсной ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Глебов, С. С.
Глубокие уровни дефектов, возникающих в структурах Si-PtaSib в результате воздействия импульсной фотонной обработки / Краткие сообщения / С. С. Глебов, В. В. Егоров, Ю. А. Капустин, Б. М. Колокольников, А. А. Свешников // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 9 . – с. 1689-1690 .
Глебов, С. С.
Глубокие уровни дефектов, возникающих в структурах Si-PtaSib в результате воздействия импульсной фотонной обработки / Краткие сообщения / С. С. Глебов, В. В. Егоров, Ю. А. Капустин, Б. М. Колокольников, А. А. Свешников // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 9 . – с. 1689-1690 .